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卢伟团队在国际学术期刊《Advanced Materials Interfaces》发表封面论文

发布日期:2019-09-30  作者:  单位:   点击数:

最近,卢伟团队在国际学术期刊《Advanced Material Interfaces》发表封面论文,提出一种记录紫外辐射强度的新型传感器。(影响因子4.7, Q1,第一署名单位为南京农业大学,第一作者为代德建、张澄宇,通讯作者为卢伟副教授(南京农业大学)、范吉阳教授(东南大学))

该研究团队利用碳化硅量子点表面缺陷的荧光漂白特性记录太阳光中紫外辐射强度, 其准确度高达97%,并通过实验和密度泛函理论详细研究碳化硅量子点发光机理及其荧光漂白机理。研究结果表明:碳化硅量子点的392 nm的荧光源于其表面羧酸基团相关缺陷,当其暴露于紫外线照射下时, 同时发生可逆和不可逆光漂白;而碳化硅量子点的438 nm的荧光源于其表面酯基相关的缺陷,仅发生不可逆的光漂白。并利用该机理记录太阳紫外线辐射强度。该研究加深了对碳化硅量子点表面缺陷发光机制的认识,为其在紫外传感领域的应用铺平了道路。详细见:

Dejian Dai,Chengyu Zhang,Ling Wang,Yang Wang,Baohua Zhang,Kaiming Deng,Wei Lu, and Jiyang Fan, Reversible/Irreversible Photobleaching of Fluorescent Surface Defects of SiC Quantum Dots Mechanism and Sensing of Solar UV Irradiation, Adv. Mater. Interfaces, 2019, 6(11): 1900272.https://doi.org/10.1002/admi.201900272

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